t≥10s后，电路出现反向饱和，

B、

C、

D、

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答案解析：

图示结构直杆BC,受载荷F,q作用,BC=L,F=qL,其中q为载荷集度,单位为N/m,集中力以N计,长度以m计。则该主动力系数对O点的合力矩为: 

A、

B、

C、

D、

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答案解析：

—高压同轴圆柱电线,内导体的半径为a,外导体的内半径为b,若b固定,要使内导体表面上场强最强,a与b的比值应该为()。

A、1/e

B、1/2 

C、1/4

D、1/8

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答案解析：

同轴圆柱电线的电场为福射对称场，设电缆单位长度的电荷星为τ ,根据高斯公式有：，则

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答案解析：分子无规则运动的平均自由程公式，气体定了，d就定了，所以容器中分子无规则运动的平均自由程仅取决于n，即单位体积的分子数。此题给定1mol氦气，分子总数定了，故容器中分子无规则运动的平均自由程

图示等边角钢制成的悬臂梁AB,c点为截面形心,x’为该梁轴线,y’、z’为形心主轴。集中力F竖直向下,作用线过角钢两个狄长矩形边中线的交点,梁将发生以下变形: 

A、x’z’平面内的平面弯曲

B、扭转和x’z’平面内的平面弯曲

C、x’y’平面和x’z’平面内的双向弯曲

D、扭转和x’y’平面、x’z’平面内的双向弯曲

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答案解析：图示截面的弯 曲中心是两个狭长矩形边的中线交点，形心主轴是y’和z’，故无扭转，而有沿两个形心主轴y’、z’方向的双向弯曲。 

操作系统中采用虚拟存储技术,是为了对()。

A、外为存储空间的分配

B、外存储器进行变换

C、内存储器的保护

D、内存储器容量的扩充

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答案解析：虚拟存储技术实际上是在一个较小的物理内存储器空间上，来运行一个较大的用户程序，它利用大容量的外存储器来扩充内存储器的容量，产生一个比内存空间大得多、逻辑上的虚拟存储空间。

图示电路中,U=220V,频率f=50Hz,S断开及闭合电流I的有效值均为0.5A,则电感L的感抗为()。

A、110Ω

B、55Ω

C、220Ω

D、330Ω

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答案解析：电路的两种状态分别为：